برچسب: نویسنده: کارن اکبرینژاد تاريخ: چهارشنبه 12 آذر 1404 ساعت: 22:38
ترانزیستور NE3210S01-T1B یک ترانزیستور پتیمورفیک FET است که برای اتصال ما بین Si-doped AIGaAs و Undoped InGaAS برای ساخت الکترون هایی با تحرک بسیار زیاد بکار میرود.این دستگاه دارای گیت هایی شبیه به دمباله های قارچی است که به منظور کاهش مقاومت در ورودی گیت و بهبود توان حرکتی طراحی شده است. شکل فوق العاده کم سر و صدا و افزایش دست آوردهای آن این ترانزیستور را برای DBS و سیستم های تجاری بسیار مناسب می سازد.تضمین کیفیت و تست های دقیق شرکت NEC دلیلی است برای بالاترین قابلیت اطمینان و عملکرد این تران
برچسب: نویسنده: کارن اکبرینژاد تاريخ: چهارشنبه 12 آذر 1404 ساعت: 22:38